- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
962
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 227 W | Single | 650 V | 1.05 V | 85 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
835
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Generic Ind App | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 320 W | Single | 1.2 kV | 2 V | 85 A | +/- 30 V | |||||
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Ein Angebot |
424
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 227 W | Single | 650 V | 1.05 V | 85 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-274AA-3 | Tube | 350 W | Single | 600 V | 2 V | 85 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-274-3 | + 150 C | Tube | 350 W | Single | 600 V | 1.83 V | 85 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
222
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 227 W | Single | 650 V | 1.05 V | 85 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
94
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-274AA-3 | Tube | 350 W | Single | 600 V | 2.3 V | 85 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V Trench IGBT Generic Ind App | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 320 W | Single | 1.2 kV | 2 V | 85 A | +/- 30 V | |||||
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Ein Angebot |
422
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ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 277 W | 650 V | 1.6 V | 85 A | +/- 200 nA | +/- 30 V | ||||
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Ein Angebot |
428
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 277 W | 650 V | 1.6 V | 85 A | +/- 200 nA | +/- 30 V | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | Through Hole | TO-274AA-3 | + 150 C | Tube | 350 W | Single | 600 V | 2 V | 85 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
106
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Infineon / IR | IGBT Transistors IGBT DISCRETES | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 313 W | 1.2 kV | 2 V | 85 A | |||||||
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Ein Angebot |
67
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast Copack IGBT | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | 313 W | Single | 1200 V | 1.7 V | 85 A | 100 nA | 20 V |
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