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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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71
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IXYS | IGBT Transistors 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Through Hole | TO-264-3 | + 175 C | Tube | 1150 W | Single | 650 V | 1.4 V | 370 A | 200 nA | 20 V | |||
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49
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IXYS | IGBT Transistors 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT | Through Hole | PLUS247-3 | + 175 C | Tube | 1150 W | Single | 650 V | 370 A | 200 nA | 20 V |
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