- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
- Ausgewählter Filter :
11 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
223
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors High Voltage IGBT 2500V; 19A | Through Hole | ISOPLUS i4-PAC-3 | + 150 C | Tube | 250 W | Single | 2.5 kV | 3.2 V | 32 A | 500 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
539
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST | Through Hole | TO-220AB-3 | + 175 C | Tube | 140 W | Single | 600 V | 1.97 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
99
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 350 W | Single | 1.7 kV | 4 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | SMD/SMT | TO-268-3 | + 150 C | Tube | 190 W | Single | 1.7 kV | 2.7 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
23
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 190 W | Single | 1.7 kV | 2.7 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 20 Amps 600V | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 140 W | Single | 600 V | 2.2 V | 32 A | 500 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
49
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 20 Amps 600V | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 140 W | Single | 600 V | 2.2 V | 32 A | 500 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
396
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT | Through Hole | TO-3P-3 | + 150 C | Tube | 195 W | Single | 600 V | 2.2 V | 32 A | +/- 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
13
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 24 Amps 1700V 5 Rds | Through Hole | PLUS 247-3 | + 150 C | Tube | 350 W | Single | 1.7 kV | 4 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST | Through Hole | TO-247AC-3 | + 175 C | Tube | 140 W | Single | 600 V | 1.97 V | 32 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
|
Ein Angebot |
37
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Tube | 140 W | Single | 600 V | 1.55 V | 32 A | +/- 100 nA | +/- 30 V |
1 / 1 Seite