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Maximum Operating Temperature :
Pd - Power Dissipation :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Gate-Emitter Leakage Current :
Maximum Gate Emitter Voltage :
4 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
STGF3NC120HD
1+
$0.6760
10+
$0.5760
100+
$0.4600
500+
$0.4040
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RFQ
1,853
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STMicroelectronics IGBT Transistors N-Ch 1200 Volt 3 Amp Through Hole TO-220-3 FP + 150 C Tube 25 W Single 1200 V 2.8 V 6 A +/- 100 nA +/- 20 V
IXGH6N170A
1+
$4.0000
10+
$3.6160
25+
$3.4480
100+
$2.9920
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RFQ
44
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IXYS IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 7 V Rds Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 75 W Single 1.7 kV 5.4 V 6 A 100 nA +/- 20 V
IRGS4045DPBF
1+
$0.9640
10+
$0.8200
100+
$0.6560
500+
$0.5720
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RFQ
264
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Infineon / IR IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-D2PAK SMD/SMT D-PAK-3 + 175 C Tube 39 W   600 V 2 V 6 A 100 nA 20 V
IRGR4045DPBF
1+
$0.7800
10+
$0.6640
100+
$0.5320
500+
$0.4640
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RFQ
524
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Infineon / IR IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK SMD/SMT DPAK-3 + 175 C Tube 39 W   600 V 2 V 6 A 100 nA 20 V