- Hersteller :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
1,853
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors N-Ch 1200 Volt 3 Amp | Through Hole | TO-220-3 FP | + 150 C | Tube | 25 W | Single | 1200 V | 2.8 V | 6 A | +/- 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
44
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 7 V Rds | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 75 W | Single | 1.7 kV | 5.4 V | 6 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
264
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-D2PAK | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 175 C | Tube | 39 W | 600 V | 2 V | 6 A | 100 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
524
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 39 W | 600 V | 2 V | 6 A | 100 nA | 20 V |
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