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13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 255 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
272
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
396
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 255 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
418
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
244
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
492
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
83
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 250 W | Single | 650 V | 1.95 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
480
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 255 W | Single | 650 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
124
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V IGBT w/ Ultra-Low VF | Through Hole | TO-247AC-3 | + 175 C | Tube | 278 W | Single | 600 V | 1.9 V | 74 A | 100 nA | 20 V |
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