- Hersteller :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
156
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 104 W | Single | 600 V | 2.2 V | 22 A | +/- 20 V | |||||
|
Ein Angebot |
192
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Fast 1-8kHz Single IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | Tube | 66 W | Single | 600 V | 2.1 V | 22 A | +/- 20 V | |||||
|
Ein Angebot |
86
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | IGBT Transistors 1200V, 12A IGBT; G Series | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | 100 W | Single | 1.2 kV | 2.4 V | 22 A | 100 nA | +/- 20 V |
1 / 1 Seite