Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
APT45GP120BG	1+ $7.9120 10+ $7.1920 25+ $6.6520 50+ $6.2920	Ein Angebot	PDF RFQ	22 Verfügbar auf Lager	Microsemi	IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS...	Through Hole	TO-247-3	+ 150 C	Tube	625 W	Single	1.2 kV	3.3 V	100 A	100 nA	30 V
APT45GP120B2DQ2G	1+ $8.2520 5+ $7.8840 10+ $7.6360 25+ $7.0160	Ein Angebot	PDF RFQ	24 Verfügbar auf Lager	Microsemi	IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS...	Through Hole	T-MAX-3	+ 150 C	Tube	625 W	Single	1.2 kV	3.3 V	113 A	100 nA	30 V
IXGT35N120B	30+ $4.9840 120+ $4.3880 270+ $4.1760 510+ $3.9040	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		IXYS	IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 Rds	SMD/SMT	TO-268-3	+ 150 C	Tube		Single	1200 V	3.3 V			+/- 20 V
IXGX35N120B	30+ $5.0360 120+ $4.4360 270+ $4.2160 510+ $3.9440	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		IXYS	IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds	Through Hole	PLUS 247-3	+ 150 C	Tube		Single	1200 V	3.3 V			20 V
IXGK35N120B	25+ $4.9960 100+ $4.4040 250+ $4.1880 500+ $3.9160	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		IXYS	IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 V Rds	Through Hole	TO-264-3	+ 150 C	Tube		Single	1200 V	3.3 V			20 V