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7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
238
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 230 W | Single | 650 V | 1.35 V | 80 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
11
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 72 Amps 600V | SMD/SMT | SOT-227B-4 | + 150 C | Tube | 360 W | Single | 600 V | 1.35 V | 160 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
23
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors GenX3 600V IGBT | Through Hole | PLUS 264-3 | + 150 C | Tube | 1.25 kW | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
91
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 150 W | Single | 650 V | 1.35 V | 40 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 75Amps 600V | Through Hole | PLUS 247-3 | + 150 C | Tube | 540 W | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 72 Amps 600V 1.35 Rds | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 540 W | Single | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 75Amps 600V | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 540 W | 600 V | 1.35 V | 75 A | 100 nA | +/- 20 V |
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