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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
220
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 390 W | Single | 1200 V | 2.45 V | 54 A | +/- 250 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
203
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 298 W | Single | 1200 V | 2.45 V | 17 A | +/- 250 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 167 W | Single | 1200 V | 2.45 V | 21 A | +/- 250 nA | +/- 20 V |
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