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18 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
407
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 600V 4 0A UFD | Through Hole | TO-3P-3 | + 150 C | Tube | 156 W | Single | 1000 V | 2.5 V | +/- 500 nA | +/- 25 V | ||||
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Ein Angebot |
207
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT | Through Hole | TO-247 | + 175 C | Tube | 333 W | 1000 V | 2.3 V | 80 A | 500 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
62
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors N-ch / 50A 1000V | Through Hole | TO-3PN | + 150 C | Tube | 156 W | Single | 1000 V | 1.5 V | 50 A | 500 nA | 25 V | |||
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Ein Angebot |
268
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 412 W | Single | 1000 V | 1.8 V | 60 A | 600 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
118
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 412 W | Single | 1000 V | 1.8 V | 60 A | 600 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
312
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors HIGH POWER | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 180 W | Single | 1000 V | 1.5 V | 60 A | +/- 500 nA | +/- 25 V | |||
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Ein Angebot |
352
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | IGBT Transistors HIGH POWER | Through Hole | TO-264-3 | + 150 C | Tube | 180 W | Single | 1000 V | 1.5 V | 60 A | +/- 500 nA | +/- 25 V | |||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 16 Amps 1000V 2.7 Rds | SMD/SMT | TO-263-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | 2.7 V | +/- 20 V | |||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 17 Amps 1000V | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 17 Amps 1000V | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 17 Amps 1000V 4 Rds | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 4 Amps 1000V 3.5 Rds | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 4 Amps 1000V 2.7 Rds | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 8 Amps 1000V 2.7 Rds | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds | SMD/SMT | TO-263AA-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V | ||||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 40 Amps 1000V 3 Rds | SMD/SMT | TO-263-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | 3 V | 20 V | |||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 17 Amps 1000V | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | Single | 1000 V | +/- 20 V |
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