- Mounting Style :
- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
23
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 5 V Rds | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 250 W | Single | 1.7 kV | 4.5 V | 24 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
11
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 20 Amps 1700 V 7 V Rds | SMD/SMT | TO-268-3 | + 150 C | Tube | 140 W | Single | 1.7 kV | 4.5 V | 10 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 5 V Rds | SMD/SMT | TO-268-3 | + 150 C | Tube | Single | 1700 V | 4.5 V | 20 V |
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