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Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRGP20B120U-EP
1+
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10+
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RFQ
202
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Infineon Technologies IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 300 W Single 1.2 kV 3.05 V 40 A 100 nA +/- 20 V
IRGP20B120UD-EP
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$3.4840
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25+
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50+
$2.7960
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 300 W Single 1.2 kV 3.05 V 40 A   +/- 20 V