- Ausgewählter Filter :
1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
200
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz | Through Hole | TO-274-3 | + 150 C | Tube | 595 W | Single | 1.2 kV | 2.33 V | 105 A | 100 nA | +/- 20 V |
1 / 1 Seite
