IGBT Transistors - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
	IXBT6N170	1+ $3.4280 10+ $3.1000 25+ $2.9560 100+ $2.5640	Ein Angebot	PDF RFQ	208 Verfügbar auf Lager	IXYS	IGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds	SMD/SMT	TO-268-3	+ 150 C	Tube	75 W	Single	1.7 kV	2.84 V	12 A	100 nA	+/- 20 V

IXBT6N170

IXYS

IGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds

Stock : 208

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