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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
2,214
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V | |||
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Ein Angebot |
606
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V | |||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors 18A 400V CLAMP IGBT | SMD/SMT | D2PAK | + 175 C | Reel | 115 W | 430 V | 18 A | 18 V | |||||
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Ein Angebot |
2,490
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors 18A 400V IGBT CLAMP | Through Hole | DPAK | + 175 C | Reel | 115 W | 430 V | 15 A | 18 V | |||||
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Ein Angebot |
267
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 430V Low-Vceon | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V |
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