- Package / Case :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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123
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Infineon Technologies | IGBT Transistors AUTO 600V WARP2 150KHZ 84mOhm | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 308 W | 600 V | 2.15 V | 60 A | |||||||
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Ein Angebot |
225
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp2 150kHz | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 308 W | Single | 600 V | 1.85 V | 60 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V WARP2 150KHZ COPACK IGBT | Through Hole | TO-247AD-3 | Tube | 308 W | Single | 600 V | 1.85 V | 60 A | +/- 20 V |
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