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Collector-Emitter Saturation Voltage :
Maximum Gate Emitter Voltage :
4 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRG4PC50UPBF
1+
$2.0880
10+
$1.7760
25+
$1.7440
100+
$1.5400
Ein Angebot
RFQ
241
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 200 W Single 600 V 2 V 55 A 100 nA 20 V
IRG4PC50WPBF
1+
$2.1560
10+
$1.8320
25+
$1.8000
100+
$1.5880
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RFQ
242
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz Through Hole TO-247-3   Tube 200 W Single 600 V 2.3 V 55 A   +/- 20 V
IRG4PC50UD-EPBF
1+
$2.8720
10+
$2.5960
25+
$2.4760
100+
$2.1480
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RFQ
93
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz Through Hole TO-247-3   Tube 200 W Single 600 V 2 V 55 A   +/- 20 V
IRG4PC50UDPBF
1+
$2.0080
10+
$1.7080
25+
$1.6760
100+
$1.4800
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RFQ
2,150
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz Through Hole TO-247-3   Tube 200 W Single 600 V 2 V 55 A   +/- 20 V