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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
241
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 600 V | 2 V | 55 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
242
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 200 W | Single | 600 V | 2.3 V | 55 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
93
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 200 W | Single | 600 V | 2 V | 55 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
2,150
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 200 W | Single | 600 V | 2 V | 55 A | +/- 20 V |
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