IGBT Transistors - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
	IHW30N160R2	1+ $2.0080 10+ $1.7040 100+ $1.4800 250+ $1.4040	Ein Angebot	PDF RFQ	494 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A	Through Hole	TO-247-3	+ 175 C	Tube	312 W	Single	1600 V	2.35 V	60 A	100 nA	20 V
	IHW30N160R2FKSA1	1+ $2.0080 10+ $1.7040 100+ $1.4800 250+ $1.4040	Ein Angebot	PDF RFQ	272 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A	Through Hole	TO-247-3	+ 175 C	Tube	312 W	Single	1600 V	2.35 V	60 A	100 nA	20 V

IHW30N160R2

IHW30N160R2

Infineon Technologies

IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

Stock : 494

1+: $2.0080

10+: $1.7040

100+: $1.4800

250+: $1.4040

IHW30N160R2FKSA1

IHW30N160R2FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A

Stock : 272

1+: $2.0080

10+: $1.7040

100+: $1.4800

250+: $1.4040

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