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Pd - Power Dissipation :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Maximum Gate Emitter Voltage :
2 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRGB4630DPBF
1+
$1.4280
10+
$1.2120
100+
$1.0520
250+
$0.9960
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RFQ
198
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST Through Hole TO-220AB-3 + 175 C Tube 206 W Single 600 V 2.15 V 47 A 100 nA +/- 20 V
IRGP6630DPBF
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100+
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$1.0800
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RFQ
91
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT TO-247 Through Hole TO-247AC-3 + 175 C Tube 192 W Single 600 V 1.65 V 47 A 100 nA 20 V