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7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
120
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 100 W | Single | 600 V | 2.21 V | 28 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
305
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 100 W | Single | 600 V | 2.7 V | 28 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
75
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 100 W | Single | 600 V | 2.21 V | 28 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
442
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 100 W | Single | 600 V | 2.7 V | 28 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
160
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-25kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 100 W | Single | 600 V | 2.7 V | 28 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
186
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 167 W | Single | 600 V | 2.2 V | 28 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast 10-30kHz | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 167 W | Single | 600 V | 2.2 V | 28 A | +/- 20 V |
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