- Maximum Operating Temperature :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
91
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 900 V | 2.25 V | 51 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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193
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 200 W | Single | 900 V | 2.25 V | 51 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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2
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Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 428 W | Single | 900 V | 1.8 V | 60 A | 600 nA | 20 V |
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