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Maximum Operating Temperature :
Pd - Power Dissipation :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Continuous Collector Current at 25 C :
Gate-Emitter Leakage Current :
Maximum Gate Emitter Voltage :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRG4PF50WDPBF
1+
$3.0600
10+
$2.7680
25+
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RFQ
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IRG4PF50WPBF
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IHW30N90T
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RFQ
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Infineon Technologies IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 428 W Single 900 V 1.8 V 60 A 600 nA 20 V