- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
6 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | Bulk | 270 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 400 nA | |||
|
Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 350 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | ||||
|
Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 100A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 1.95 V | 135 A | 300 nA | ||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 35A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 230 W | Hex | 1200 V | 2.4 V | 45 A | 300 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 360 W | Hex | 1200 V | 2.5 V | 80 A | 300 nA |
1 / 1 Seite