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- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
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- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
23
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A DUAL | IS5a ( 62 mm )-7 | + 125 C | 1450 W | Dual | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | |||||
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Ein Angebot |
84
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A CHOPPER | IS5a ( 62 mm )-5 | + 125 C | 1470 W | Single | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1.25 kW | Dual | 1200 V | 2.1 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 150A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1.25 kW | Dual | 1700 V | 2.6 V | 300 A | 200 nA | |||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 1.05 kW | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 1.05 kW | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 1.05 kW | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Littelfuse | IGBT Modules 1700V 200A IGBT | IGBT Silicon Modules | Package D | + 125 C | Bulk | 1250 W | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 300 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 300A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | Single | 1700 V | 300 A | ||||||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A DUAL | IS5a ( 62 mm )-5 | + 125 C | 1470 W | Single | 1200 V | 1.7 V | 300 A | 400 nA |
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