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- Package / Case :
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3 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 125A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 125 C | Hex | 1200 V | 125 A | ||||||
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siehe | IXYS | IGBT Modules 100 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | E3-Pack | + 125 C | Bulk | 640 W | 1.2 kV | 1.2 kV | 125 A | 600 nA | ||||
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siehe | Littelfuse | IGBT Modules 1700V 75A IGBT | IGBT Silicon Modules | Package S | + 125 C | Bulk | 520 W | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 125 A | 400 nA |
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