- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Ausgewählter Filter :
3 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.6KA | IGBT Silicon Modules | IHM130 | + 125 C | Single Dual Collector Dual Emitter | 1700 V | 1600 A | |||||
|
|
|
Ein Angebot |
1
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 1200A DUAL | IHM130-10 | + 125 C | 5.95 kW | Dual | 1700 V | 2 V | 1600 A | 400 nA | |||
|
|
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 1600A SINGLE | IHM 130X140-7 | + 125 C | 7.8 kW | Dual Common Emitter Common Gate | 1200 V | 1.7 V | 1600 A | 400 nA |
1 / 1 Seite
