- Package / Case :
- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 275A | IGBT Silicon Modules | Econo D | + 125 C | Dual | 1200 V | 275 A | |||||
|
|
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1.4 kW | Dual | 1200 V | 3.2 V | 275 A | 400 nA |
1 / 1 Seite
