- Hersteller :
- Pd - Power Dissipation :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 400A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 3.12 kW | Single Dual Emitter | 1700 V | 2.6 V | 800 A | 200 nA | |||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 800A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | Single | 1200 V | 800 A | ||||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 800A DUAL | IGBT Silicon Modules | IHM | + 125 C | 5 kW | Dual | 1200 V | 2.7 V | 800 A | 400 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D4-5 | + 125 C | 2.08 kW | Single | 1.7 kV | 2 V | 800 A | 400 nA |
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