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Package / Case :
Pd - Power Dissipation :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Gate-Emitter Leakage Current :
4 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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1+
$85.5040
5+
$83.4480
10+
$81.3760
25+
$80.2360
Ein Angebot
RFQ
8
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Infineon Technologies IGBT Modules 1700V 400A SINGLE IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C 3.12 kW Single Dual Emitter 1700 V 2.6 V 800 A 200 nA
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$58.7920
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$57.6360
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RFQ
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Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 800A IGBT Silicon Modules 62 mm + 125 C   Single 1200 V   800 A  
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$339.7120
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$334.2800
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 800A DUAL IGBT Silicon Modules IHM + 125 C 5 kW Dual 1200 V 2.7 V 800 A 400 nA
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50+
$80.9960
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D4-5 + 125 C 2.08 kW Single 1.7 kV 2 V 800 A 400 nA