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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
26
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 520A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | 2400 W | Dual | 1200 V | 2.15 V | 520 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
109
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | Bulk | 2400 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 580 A | 400 nA |
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