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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | Econo D | + 150 C | 1050 W | Dual | 1200 V | 2.15 V | 295 A | 400 nA | ||||
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Littelfuse | IGBT Modules 1200V 225A Dual | IGBT Silicon Modules | Package WB | + 125 C | Bulk | 1050 W | Dual | 1200 V | 1.7 V | 325 A | 400 nA |
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