- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
17
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | IGBT Silicon Modules | Econo D | + 125 C | 1250 W | Dual | 1200 V | 3.7 V | 225 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | 1250 W | Dual | 1700 V | 2.45 V | 310 A | 100 nA |
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