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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A DUAL | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | 460 W | Dual | 1200 V | 2.4 V | 115 A | 400 nA |
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