- Hersteller :
- Package / Case :
- Pd - Power Dissipation :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
13
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 600A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | Bulk | 1650 W | Dual | 600 V | 1.9 V | 700 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Modules 1200V 300A Dual | IGBT Silicon Modules | Package D | + 150 C | Bulk | 1800 W | Dual | 1200 V | 1.9 V | 450 A | 400 nA | |||
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siehe | IXYS | IGBT Modules XPT IGBT Phaseleg ISOPLUS | IGBT Silicon Modules | SMPD-9 | + 150 C | Reel | 150 W | Dual | 1.2 kV | 1.9 V | 43 A | 500 nA |
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