- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
7
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULES 600V | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 150 C | Tray | 250 W | Hex | 600 V | 1.9 V | 75 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 100A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 1.95 V | 135 A | 300 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM2 | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 300 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 50A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | 250 W | Hex | 600 V | 2.2 V | 70 A | 400 nA |
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