- Package / Case :
- Gate-Emitter Leakage Current :
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4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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9
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 35A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM2 | + 125 C | 230 W | Hex | 1200 V | 2.4 V | 45 A | 300 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 35A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM3 | + 125 C | 230 W | Hex | 1200 V | 2.4 V | 45 A | 300 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | Bulk | 350 W | Hex | 1200 V | 2.4 V | 85 A | 400 nA | ||||
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3
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 10A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM2 | + 125 C | Tray | 100 W | Hex | 1200 V | 2.4 V | 20 A | 300 nA |
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