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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 5.15 W | 3-Phase | 1200 V | 2.1 V | 100 A | 100 nA |
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