- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
13
Verfügbar auf Lager
|
Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 -... | IGBT Silicon Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | 431 W | Single | 600 V | 2.2 V | 130 A | +/- 100 nA | |||
|
Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
|
Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 -... | IGBT Silicon Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | 431 W | Single | 600 V | 2.2 V | 130 A | +/- 100 nA |
1 / 1 Seite