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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Infineon Technologies | IGBT Modules | IGBT Silicon Modules | PRIME3 | + 175 C | 8.95 kW | Dual | 1700 V | 1.75 V | 1800 A | 400 nA |
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