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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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11
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Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq ... | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 175 C | Bulk | 682 W | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA | ||
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105
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Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq ... | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 175 C | Tray | 682 W | 600 V | 1.5 V | 283 A | 600 nA |
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