- Package / Case :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 105A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 125 C | 355 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 125 C | 355 W | Quad | 1200 V | 3.75 V | 70 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 105A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 125 C | 355 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 105 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
7
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 3B | + 125 C | 355 W | Hex | 1200 V | 1.7 V | 105 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
160
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 75A DUAL | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | 355 W | Dual | 600 V | 2.2 V | 100 A | 400 nA |
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