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- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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7 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
40
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 940 W | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 230 A | 200 nA | |||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 650V | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | Tray | 940 W | Dual | 650 V | 1.75 V | 365 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
41
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Modules 600V 300A Dual | IGBT Silicon Modules | Package D | + 150 C | Bulk | 940 W | Dual | 600 V | 1.45 V | 400 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 300A 650V | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 940 W | 650 V | 1.95 V | 300 A | 400 nA | |||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 940 W | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 940 W | Single | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | D3-11 | + 125 C | 940 W | Dual | 600 V | 1.5 V | 400 A | 400 nA |
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