Schaffung einer zuverlässigen Handelsplattform für globale Hersteller und Lieferanten.
Maximum Operating Temperature :
7 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
Default Photo
50+
$29.1720
100+
$28.3840
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP1-12 + 100 C 357 W Dual 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$51.9720
100+
$47.5560
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C 357 W Full Bridge 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$30.0880
100+
$29.0200
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C 357 W Single 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$30.0880
100+
$29.0200
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C 357 W Single 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$39.7320
100+
$37.0680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C 357 W Dual 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$30.6360
100+
$29.5480
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 357 W Dual 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA
Default Photo
50+
$28.0280
100+
$27.2680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP2-18 + 100 C 357 W Dual 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA