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- Maximum Operating Temperature :
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- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1.85V IGBT 4 PIM | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 385 W | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 150 A | 100 nA | |||
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Ein Angebot |
9
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 75A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 385 W | 1200 V | 2.15 V | 75 A | 100 nA | |||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 385 W | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 385 W | Full Bridge | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 385 W | Dual | 1.2 kV | 1.8 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 385 W | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 385 W | Single | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-32 | + 100 C | 385 W | Full Bridge | 1.2 kV | 2.05 V | 130 A | 150 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 385 W | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 385 W | Dual | 1.2 kV | 1.85 V | 110 A | 600 nA |
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