- Gate-Emitter Leakage Current :
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5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 75 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 370 W | Single | 1.2 kV | 90 A | 200 nA | ||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 100 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 560 W | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | ||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 100 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 560 W | Single | 1.2 kV | 135 A | 300 nA | ||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 145 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 700 W | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Modules 145 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | Y4-M5-7 | + 125 C | Bulk | 700 W | Single | 1.2 kV | 160 A | 400 nA |
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