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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | IGBT Silicon Modules | EconoDUAL-3 | + 125 C | 695 W | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | ||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK+ | + 125 C | 695 W | Hex | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA |
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