- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 600V 600A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | Bulk | 1650 W | Dual | 600 V | 1.9 V | 700 A | 400 nA | ||||
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siehe | Littelfuse | IGBT Modules 1700V 300A IGBT | IGBT Silicon Modules | Package WB | + 125 C | Bulk | 1650 W | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 375 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700V 300A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK+ | + 125 C | 1650 W | Hex | 1700 V | 2.45 V | 375 A | 400 nA |
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