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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Gate-Emitter Leakage Current | |
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siehe | GeneSiC Semiconductor | IGBT Modules 1200V 100A SIC IGBT CoPak | IGBT Silicon Carbide Modules | SOT-227 | + 175 C | Bulk | IGBT-Inverter | 1200 V | 1.9 V | 400 nA |
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