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Configuration :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 280 W Dual 1.2 kV 1.85 V 80 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 280 W   1.2 kV 1.8 V 80 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 280 W Full Bridge 1.2 kV 1.85 V 80 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 280 W Dual 1.2 kV 1.85 V 80 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP3-32 + 100 C 280 W Dual 1.2 kV 1.85 V 80 A 400 nA