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- Maximum Operating Temperature :
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17 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
22
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 200A 650V | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 600 W | 650 V | 1.95 V | 200 A | 400 nA | |||||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 125 C | 700 W | Hex | 1200 V | 2.15 V | 200 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Modules 1200V 150A IGBT | IGBT Silicon Modules | Package W | + 125 C | Bulk | 625 W | 3-Phase Inverter | 1200 V | 1.9 V | 200 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | IS5a ( 62 mm )-5 | + 125 C | 1.04 kW | Single | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
17
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A CHOPPER | IS5a ( 62 mm )-5 | + 125 C | Tray | 1.04 kW | Single | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | IGBT Silicon Modules | EconoDUAL-3 | + 125 C | 695 W | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 780 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 200 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK+ | + 125 C | 695 W | Hex | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 480 W | 600 V | 1.5 V | 200 A | 400 nA | |||||
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siehe | Littelfuse | IGBT Modules 1200V 150A Dual | IGBT Silicon Modules | Package S | + 125 C | Bulk | 625 W | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA | |||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 1.136 kW | Half Bridge | 1.2 kV | 3.1 V | 200 A | 400 nA | |||||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 650 W | Half Bridge | 1.2 kV | 1.8 V | 200 A | 400 nA | |||||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 658 W | 1.2 kV | 1.8 V | 200 A | 400 nA | ||||||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 833 W | 1.2 kV | 1.9 V | 200 A | 400 nA | ||||||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 833 W | 1.2 kV | 1.77 V | 200 A | 400 nA | ||||||
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siehe | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | INT-A-PAK | + 150 C | 833 W | Half Bridge | 1.2 kV | 1.9 V | 200 A | 400 nA | |||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | IS5a ( 62 mm )-7 | + 125 C | 1.05 kW | Dual | 1200 V | 1.7 V | 200 A | 400 nA |
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