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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
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Vishay Semiconductors | IGBT Modules 75A Half Bridge 3 Level Inverter | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 294 W | Dual | 600 V | 109 A | 200 nA, 400 nA |
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