Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Product	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current
FS100R12PT4	1+ $53.1120 5+ $52.0680 10+ $49.6400 25+ $48.5960	Ein Angebot	PDF RFQ	3 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Modules 3 PHASE POWER BRIDGE	IGBT Silicon Modules		+ 150 C	Bulk	500 W		1200 V	2.15 V	135 A	100 nA
MID100-12A3	1+ $20.8240 5+ $20.3560 10+ $19.5600 25+ $18.9320	Ein Angebot	PDF RFQ	5 Verfügbar auf Lager	IXYS	IGBT Modules 100 Amps 1200V	IGBT Silicon Modules	Y4-M5-7	+ 125 C	Bulk	560 W	Single	1.2 kV	1.2 kV	135 A	300 nA
MDI100-12A3	1+ $20.8240 5+ $20.3560 10+ $19.5600 25+ $18.9320	Ein Angebot	PDF RFQ	18 Verfügbar auf Lager	IXYS	IGBT Modules 100 Amps 1200V	IGBT Silicon Modules	Y4-M5-7	+ 125 C	Bulk	560 W	Single	1.2 kV	1.2 kV	135 A	300 nA
BSM100GP60	1+ $66.7720 5+ $65.1680 10+ $63.5480 25+ $62.6560	Ein Angebot	PDF RFQ	6 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Modules 600V 100A PIM	IGBT Silicon Modules	EconoPIM3	+ 125 C		250 W	Hex	600 V	1.95 V	135 A	300 nA
APT50GF120LRG	1+ $8.6080 10+ $7.8240 25+ $7.2360 50+ $6.8440	Ein Angebot	PDF RFQ	596 Verfügbar auf Lager	Microsemi	IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency...	IGBT Silicon Carbide Modules	TO-264-3	+ 150 C		781 W	Single	1.2 kV	2.5 V	135 A	+/- 100 nA
APT50GF120B2RG	1+ $8.4320 10+ $7.6640 25+ $7.0880 50+ $6.7040	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Microsemi	IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency...	IGBT Silicon Carbide Modules	T-MAX-3	+ 150 C		781 W	Single	1.2 kV	2.5 V	135 A	+/- 100 nA
APTGLQ100A65T1G	50+ $25.0320 100+ $24.3560	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Microsemi	IGBT Modules Power Module - IGBT	IGBT Silicon Modules	SP1-12	+ 125 C		350 W	Dual	650 V	1.85 V	135 A	150 nA